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三星、臺積電3納米架構大不同 誰有市場優勢?

2021-09-10 來源:愛集微

三星與臺積電在先進制程的大戰,進入3納米之后也變得更多元,主要在于兩家公司切入3納米的技術架構大不同。三星押注環繞閘極(GAA)架構,并宣稱其在GAA研發進度領先臺積電;臺積電則延續先前采用的鰭式場效晶體管(FinFET)架構,最快2納米才評估導入GAA架構。

對于三星發展先進制程態度積極,臺積電一向不回應競爭對手動態。業界認為,臺積電明年3納米量產計劃仍順利,且有信心更獲得客戶支持,也是在客戶的選擇之下,維持3納米FinFET架構設計,非常具有優勢。


臺積電業務開發副總張曉強日前在技術論壇上透露,臺積電認為繼續采用FinFET架構開發3納米制程,是能幫助客戶取得成功的最佳方案。臺積電預期,其3納米效能可較5納米提升10%至15%,功耗減少25%至30%,邏輯密度增加1.7倍,SRAM密度提升1.2倍、類比密度則提升1.1倍等。目標3納米量產第一年,客戶產品量能達到5納米兩倍以上,廣泛應用于智能機與高速運算(HPC)平臺。

三星、臺積電分別采用不同架構設計的3納米制程,將在2022年實際對決。三星采用GAA架構之外,目前三星也開發3納米乃至2納米所需的第二代技術:多橋通道場效應晶體管(MBCFET),三星聲稱相關技術能使芯片效能較7納米時提高35%、面積減少45%,功耗降低五成,而相關技術的實際量產情況尚須持續追蹤。

臺積電已確定使用FinFET架構提供客戶3納米制程產能,臺積電日前法說會上也宣示,相近該架構將能提供客戶最成熟的技術、最好的效能及最佳的成本,并按照計劃開發且進度良好,相較于5納米及7納米的類似時期,也持續觀察到3納米在高效能運算及智慧手機應用都有較多客戶投入。

另據了解,由于先進制程開發所費不貲,在綜合各方面指標后,不僅只有英特爾、蘋果用得起,來自歐洲領先的人工智能(AI)芯片大廠Graphcore也已經談妥3納米長期合作計劃。

Graphcore是臺積電3納米早期合作伙伴之一,這家來自英國的AI芯片業者,多次被外國媒體點評為有機會超過輝達的新創公司,并獲得2019年、2020年「最酷的獨角獸公司」殊榮,先前在臺積電技術論壇上,雙方也已鄭重介紹未來合作藍圖。


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