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英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術開發

2021-09-08 來源:EEWORLD

【2021年9月8日,德國慕尼黑和日本大阪訊】英飛凌科技股份公司和松下公司簽署協議,共同開發和生產第二代(Gen2)成熟的氮化鎵(GaN)技術,提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性與8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力相結合,標志著英飛凌對氮化鎵功率半導體日益增長的需求的戰略拓展。根據市場需求,Gen2將被開發為650V GaN HEMT。這些器件將易于使用,并提供更高的性價比,主要針對高功率和低功率SMPS應用、可再生能源、電機驅動應用等。


對于許多設計來說,氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優勢。與硅MOSFET相比,氮化鎵HEMT具有出色的特定動態導通電阻和更小的電容,因此更適于做高速開關。由此帶來的能耗節省和系統總成本降低、可以在更高頻率、更高的功率密度和整體系統效率下工作,使GaN成為對設計工程師非常有吸引力的選擇。


英飛凌電源和傳感器系統事業部總裁Andreas Urschitz表示:“除了與第1代相同的高可靠性標準外,由于轉向8英寸晶圓制造,下一代客戶將因晶體管更易控制以及顯著改善的成本定位而受益。如同雙方聯合開發的第一代器件(即英飛凌的CoolGaN?和松下的X-GaN?),第二代器件將基于常閉型硅基氮化鎵晶體管結構,再結合混合型漏極嵌入式柵極注入晶體管(HD-GIT)結構無可比擬的穩健性,使這些組件成為市場上的首選產品和最長期可靠的解決方案之一。”


松下電器工業解決方案公司工程部副主任Tetsuzo Uedai表示:“我們很高興能擴大與英飛凌在氮化鎵組件方面的伙伴關系和合作。在這種聯合方式下,我們將能夠以最新的創新發展為基礎,提供高品質的第一代和第二代器件。”


供貨情況


全新650V GaN Gen2器件計劃于2023年上半年上市。


關于英飛凌


英飛凌科技股份公司是全球領先的半導體科技公司,我們讓人們的生活更加便利、安全和環保。英飛凌的微電子產品和解決方案將帶您通往美好的未來。2020財年(截止9月30日),公司的銷售額達85億歐元,在全球范圍內擁有約46,700名員工。2020年4月,英飛凌正式完成了對賽普拉斯半導體公司的收購,成功躋身全球十大半導體制造商之一。


英飛凌中國


英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業以來,英飛凌的業務取得非常迅速的增長,在中國擁有約2000名員工,已經成為英飛凌全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發、生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈,并在銷售、技術研發、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。


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