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ST單片 GaN 柵極驅動器加速工業和家庭自動化并提高靈活性

2021-09-09 來源:EEWORLD

意法半導體單片 GaN 柵極驅動器加速工業和家庭自動化并提高靈活性和集成度


中國,2021年9月9日——意法半導體的 STDRIVEG600半橋柵極驅動器輸出電流大,高低邊輸出信號傳播延遲相同,都是45ns,能夠驅動 GaN 增強型 FET 高頻開關。


STDRIVEG600 的驅動電源電壓高達 20V,還適用于驅動 N 溝道硅基 MOSFET管,在驅動 GaN 器件時,可以靈活地施加 6V 柵極-源極電壓 (VGS),確保導通電阻 Rds(on)保持在較低水平。此外,驅動器還集成一個自舉電路,可大限度降低物料清單成本,簡化電路板布局。自舉電路使用同步整流 MOSFET開關管,使自舉電壓達到VCC邏輯電源電壓值,從而讓驅動器只使用一個電源,而無需低壓降穩壓器 (LDO)。


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STDRIVEG600的 dV/dt為±200V/ns,確保柵極控制在惡劣的電氣環境中具有較高的可靠性。邏輯輸入兼容低至 3.3V 的 CMOS/TTL信號,方便連接主微控制器或 DSP處理器。高邊電路耐受電壓高達 600V,可用于高壓總線高達 500V 的應用領域。


驅動器的輸出灌電流/拉電流為5.5A/6A,并提供獨立的導通和關斷引腳,讓設計人員可以選擇適合的柵極控制方式。此外,高低邊電路都支持與功率開關源極相連的開爾文連接方法,以增強控制性能。低邊驅動器的專用接地和電源電壓引腳可實現開爾文連接,確保開關操作穩定,并允許使用分流電阻器檢測電流,而無需額外的隔離或輸入濾波電路。


驅動器內置完備的安全保護功能,其中,高低邊驅動欠壓鎖定 (UVLO)可以防止功率開關管在低效率或危險工況下運行;互鎖保護可以避免開關管交叉導通。其他保護功能包括過熱保護、 省電關閉功能專用引腳。


STDRIVEG600 適用于高壓 PFC、DC/DC 和 DC/AC 變換器、開關電源、UPS 電源系統、太陽能發電,以及家用電器、工廠自動化和工業驅動設備的電機驅動控制等應用。


驅動器有兩款配套開發板,幫助設計人員快速啟動新項目,其中,EVSTDRIVEG600DG 板載一個 150mΩ 650V GaN HEMT晶體管,該晶體管采用 5mm x 6mm PowerFLAT 封裝,帶有Kelvin驅動源引腳;EVSTDRIVEG600DM開發板配備一個STL33N60DM2 內置快速恢復二極管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率開關,該晶體管采用帶有Kelvin驅動源引腳的8mm x 8mm PowerFLAT封裝或者 DPAK 封裝。


STDRIVEG600 驅動芯片已量產,采用 16 引腳 SO16 封裝。


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意法半導體擁有46,000名半導體技術的創造者和創新者,掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家獨立的半導體設備制造商,意法半導體與十萬余客戶、數千名合作伙伴一起研發產品和解決方案,共同構建生態系統,幫助他們更好地應對各種挑戰和新機遇,滿足世界對可持續發展的更高需求。意法半導體的技術讓人們的出行更智能,電力和能源管理更高效,物聯網和5G技術應用更廣泛。


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