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采用零失真?技術的射頻放大器,比GaAs技術等射頻半導體更

2019-05-12 來源:Renesas

   

IDT射頻放大器產品系列不論在差分或單端輸入阻抗的條件下都可提供不同增益、噪聲和線性特性。與簡單增益放大器模塊相比,該產品采用零失真?技術,以非常低的電流消耗來實現較大的三階截取點(IP3)。此外,射頻放大器具有多個輸入和輸出端口,并且其內置寬帶巴隆可支持寬帶應用。為了保證設備工作可靠,產品的SiGe放大器模塊使用無源集成設備(IPD)并且采用高容量QFN封裝。圖1所示為6GHz以下使用F0424寬帶放大器的系統框圖。

圖1 6GHz以下使用F0424寬帶放大器的系統框圖


IDT射頻放大器采用如GaAs技術等射頻半導體的前沿技術來保證產品更具優勢,相比市場其他產品,該射頻放大器因為可以免疫較高的靜電放電(ESD)并且屬于MSL1敏感水平,使得其制造更具穩定性。并且低溫時其漏端電流較小保證了更高的可靠性,同時產品擁有高層次的集成度可以降低成本。


此處將介紹產品的核心技術——零失真?技術,IDT器件通過降低地面噪聲和IM3互調失真來提高信噪比,如圖2黃色曲線所示。這種方法在有限的頻譜環境中非常有效,它不但提高了服務質量,而且釋放了未充分利用的頻譜,使得通信更加穩定。


圖2 零失真?技術



特性:

?基于硅來改善ΘJC以及第二類ESD

?寬頻帶內增益值平坦

?Zero-DistortionTM技術

?不同工作狀態下性能不變

?電壓和溫度變化對增益影響小


應用:

?無線基站

?中繼器和DAS

?點對點的基礎設施

?公共安全基礎設施

?軍事通信

?工業設備


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